SIS402DN-T1-GE3参数规格_中文资料_数据手册PDF

SIS402DN-T1-GE3中文资料参数规格

技术参数

针脚数 8

漏源极电阻 0.0048 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 3.8 W

阈值电压 3 V

漏源极电压Vds 30 V

连续漏极电流Ids 35.0 A

上升时间 20 ns

输入电容Ciss 1700pF @15VVds

下降时间 15 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 3800 mW

封装参数

引脚数 8

封装 1212

外形尺寸

高度 1.07 mm

封装 1212

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SIS402DN-T1-GE3

型号： SIS402DN-T1-GE3

描述：VISHAY SIS402DN-T1-GE3 场效应管, MOSFET, N通道, 30V, 35A POWERPAK, 整卷

替代型号SIS402DN-T1-GE3

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
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