SI7120ADN-T1-GE3概述
VISHAY SI7120ADN-T1-GE3 晶体管, MOSFET, N沟道, 9.5 A, 60 V, 17500 µohm, 10 V, 2.5 V
The is a 60VDS TrenchFET® N-channel enhancement-mode Power MOSFET suitable for primary side switch and synchronous rectification applications.
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- 100% Rg tested
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- 100% UIS tested
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- Halogen-free
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- -55 to 150°C Operating temperature range
SI7120ADN-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数
针脚数 8
漏源极电阻 0.0175 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 3.8 W
阈值电压 2.5 V
漏源极电压Vds 60 V
上升时间 12 ns
下降时间 12 ns
工作温度Max 150 ℃
封装参数
引脚数 8
封装 PowerPAK-1212-8
外形尺寸
长度 3.3 mm
宽度 3.3 mm
高度 1.04 mm
封装 PowerPAK-1212-8
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Power Management, Industrial
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
在线购买SI7120ADN-T1-GE3
型号： SI7120ADN-T1-GE3
描述：VISHAY SI7120ADN-T1-GE3 晶体管, MOSFET, N沟道, 9.5 A, 60 V, 17500 µohm, 10 V, 2.5 V