SIR800DP-T1-GE3

SIR800DP-T1-GE3图片1
SIR800DP-T1-GE3图片2
SIR800DP-T1-GE3图片3
SIR800DP-T1-GE3图片4
SIR800DP-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数

漏源极电阻 0.0019 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 5.2 W

阈值电压 600 mV

漏源极电压Vds 20 V

工作温度Max 150 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SO-8

外形尺寸

封装 SO-8

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SIR800DP-T1-GE3
型号: SIR800DP-T1-GE3
描述:N沟道20 V (D -S )的MOSFET N-Channel 20 V D-S MOSFET

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台