VISHAY SI7460DP-T1-GE3 晶体管, MOSFET, 沟槽式FET, N沟道, 11 A, 60 V, 0.008 ohm, 10 V, 3 V 新
The is an N-channel Fast Switching MOSFET features a new low thermal resistance PowerPAK® package with low 1.07mm profile.
- .
- Halogen-free in according to IEC 61249-2-21 standard
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 60V 11A 8-Pin PowerPAK SO T/R
安富利:
Trans MOSFET N-CH 60V 11A 8-Pin PowerPAK SO T/R
富昌:
单 N沟道 60 V 9.6 mΩ 100 nC 表面贴装 功率 Mosfet - PowerPAK-SO-8
Verical:
Trans MOSFET N-CH 60V 11A 8-Pin PowerPAK SO T/R
Newark:
# VISHAY SI7460DP-T1-GE3 MOSFET Transistor, N Channel, 18 A, 60 V, 0.08 ohm, 4.5 V, 1 V
针脚数 8
漏源极电阻 0.08 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 5.4 W
阈值电压 1 V
漏源极电压Vds 60 V
连续漏极电流Ids 11.0 A, 18.0 A
上升时间 16 ns
下降时间 30 ns
工作温度Max 150 ℃
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 PowerPAK SO
封装 PowerPAK SO
工作温度 -55℃ ~ 150℃
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Industrial
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
SI7460DP-T1-GE3 Vishay Semiconductor 威世 | 当前型号 | 当前型号 |
SI7164DP-T1-GE3 威世 | 类似代替 | SI7460DP-T1-GE3和SI7164DP-T1-GE3的区别 |
IRFH5206TRPBF 英飞凌 | 功能相似 | SI7460DP-T1-GE3和IRFH5206TRPBF的区别 |