SIHU3N50D-E3

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SIHU3N50D-E3中文资料参数规格
技术参数

漏源极电阻 2.6 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 104 W

阈值电压 3 V

漏源极电压Vds 500 V

工作温度Max 150 ℃

封装参数

引脚数 3

封装 TO-251

外形尺寸

封装 TO-251

其他

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

数据手册

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型号: SIHU3N50D-E3
描述:D系列功率MOSFET D Series Power MOSFET

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