SIR476DP-T1-GE3

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SIR476DP-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数

针脚数 8

漏源极电阻 2.1 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 6.25 W

阈值电压 2.5 V

漏源极电压Vds 25 V

连续漏极电流Ids 60.0 A

上升时间 31 ns

输入电容Ciss 6150pF @10VVds

下降时间 48 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 6250 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC

外形尺寸

高度 1.04 mm

封装 SOIC

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

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型号: SIR476DP-T1-GE3
描述:VISHAY  SIR476DP-T1-GE3  场效应管, MOSFET, N通道, 25V, 60A, SOIC, 整卷

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