SI7774DP-T1-GE3

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SI7774DP-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数

漏源极电阻 0.0031 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 5 W

阈值电压 1 V

漏源极电压Vds 30 V

输入电容Ciss 2630pF @15VVds

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 5000 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SO-8

外形尺寸

高度 1.04 mm

封装 SO-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

数据手册

在线购买SI7774DP-T1-GE3
型号: SI7774DP-T1-GE3
描述:N沟道30 V ( D- S)的MOSFET与肖特基二极管 N-Channel 30 V D-S MOSFET with Schottky Diode

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