SI4190ADY-T1-GE3概述
VISHAY SI4190ADY-T1-GE3 晶体管, MOSFET, N沟道, 18.4 A, 100 V, 0.0073 ohm, 10 V, 1.5 V
The is a 100VDS TrenchFET® N-channel enhancement-mode Power MOSFET suitable for DC-to-DC primary side switch and telecom/server applications.
- .
- 100% Rg tested
- .
- 100% UIS tested
- .
- Halogen-free
- .
- -55 to 150°C Operating temperature range
SI4190ADY-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数
针脚数 8
漏源极电阻 0.0073 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 6 W
阈值电压 1.5 V
漏源极电压Vds 100 V
输入电容Ciss 1970pF @50VVds
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 6 W
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
外形尺寸
长度 5 mm
宽度 4 mm
高度 1.5 mm
封装 SOIC-8
其他
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Power Management, Industrial, Communications & Networking
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
在线购买SI4190ADY-T1-GE3
型号： SI4190ADY-T1-GE3
描述：VISHAY SI4190ADY-T1-GE3 晶体管, MOSFET, N沟道, 18.4 A, 100 V, 0.0073 ohm, 10 V, 1.5 V