SI7461DP-T1-E3

SI7461DP-T1-E3图片1
SI7461DP-T1-E3图片2
SI7461DP-T1-E3图片3
SI7461DP-T1-E3图片4
SI7461DP-T1-E3图片5
SI7461DP-T1-E3概述

VISHAY  SI7461DP-T1-E3  场效应管, MOSFET, P沟道, 60V VBRDSS

**Features:

* **Halogen-Free Option Available

* Low-Side Switching

* Low On-Resistance: 5 Ω

* Low Threshold: 0.9 V Typ.

* Fast Switching Speed: 35 ns Typ.

* TrenchFET® Power MOSFETs: 1.5 V Rated

* ESD Protected: 2000 V

**Applications:

**

* Drivers: Relays, Solenoids, Lamps, Hammers, Displays, Memories

* Battery Operated Systems

* Power Supply Converter Circuits

* Load/Power Switching Cell Phones, Pagers


艾睿:
Trans MOSFET P-CH 60V 8.6A 8-Pin PowerPAK SO T/R


安富利:
Trans MOSFET P-CH 60V 8.6A 8-Pin PowerPAK SO T/R


富昌:
单 P 沟道 60 V 0.0145 Ohms 表面贴装 功率 Mosfet - PowerPAK-SO-8


Verical:
Trans MOSFET P-CH 60V 8.6A 8-Pin PowerPAK SO T/R


SI7461DP-T1-E3中文资料参数规格
技术参数

针脚数 8

漏源极电阻 190 mΩ

极性 P-Channel

耗散功率 1.2 W

漏源极电压Vds -60.0 V

连续漏极电流Ids -12.6 A

上升时间 20 ns

下降时间 90 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

长度 5.99 mm

高度 1.07 mm

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SI7461DP-T1-E3
型号: SI7461DP-T1-E3
描述:VISHAY  SI7461DP-T1-E3  场效应管, MOSFET, P沟道, 60V VBRDSS
替代型号SI7461DP-T1-E3
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

SI7461DP-T1-E3

Vishay Semiconductor 威世

当前型号

当前型号

SI7461DP-T1-GE3

威世

功能相似

SI7461DP-T1-E3和SI7461DP-T1-GE3的区别

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台