VISHAY SIR870ADP-T1-GE3 晶体管, MOSFET, N沟道, 60 A, 100 V, 0.0055 ohm, 10 V, 1.5 V
The is a 100V N-channel TrenchFET® Power MOSFET. Suitable for use in primary side switching, telecom and DC/DC inverters applications. The N-channel MOSFET for switching applications are now available with die on resistances around 1mR and with the capability to handle 85A.
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- Halogen-free according to IEC 61249-2-21 definition
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- 100% Rg Tested
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- 100% UIS Tested
针脚数 8
漏源极电阻 0.0055 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 104 W
阈值电压 1.5 V
漏源极电压Vds 100 V
输入电容Ciss 2866pF @50VVds
下降时间 9 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 104 W
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SO-8
长度 6.25 mm
宽度 5.26 mm
高度 1.12 mm
封装 SO-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Computers & Computer Peripherals, Power Management, 工业, Industrial, 计算机和计算机周边, 电源管理
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
SIR870ADP-T1-GE3 Vishay Semiconductor 威世 | 当前型号 | 当前型号 |
SIR804DP-T1-GE3 威世 | 功能相似 | SIR870ADP-T1-GE3和SIR804DP-T1-GE3的区别 |