SIR880ADP-T1-GE3参数规格_中文资料_数据手册PDF

SIR880ADP-T1-GE3概述

VISHAY SIR880ADP-T1-GE3 晶体管, MOSFET, N沟道, 60 A, 80 V, 0.0052 ohm, 10 V, 1.5 V

The is a 80VDS TrenchFET® N-channel enhancement-mode Power MOSFET suitable for primary side switch, isolated DC-to-DC converter, full bridge and Synchronous rectification applications.

.: 100% Rg tested

.: 100% UIS tested

.: Halogen-free

.: -55 to 150°C Operating temperature range

SIR880ADP-T1-GE3中文资料参数规格

技术参数

针脚数 8

漏源极电阻 0.0052 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 83 W

阈值电压 1.5 V

漏源极电压Vds 80 V

工作温度Max 150 ℃

封装参数

引脚数 8

封装 PowerPAKSO-8

外形尺寸

长度 6.15 mm

宽度 5.15 mm

高度 1.04 mm

封装 PowerPAKSO-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Industrial, Power Management

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

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型号： SIR880ADP-T1-GE3

制造商： Vishay Semiconductor 威世

描述：VISHAY SIR880ADP-T1-GE3 晶体管, MOSFET, N沟道, 60 A, 80 V, 0.0052 ohm, 10 V, 1.5 V

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