SI7812DN-T1-E3

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SI7812DN-T1-E3概述

VISHAY  SI7812DN-T1-E3  晶体管, MOSFET, N沟道, 16 A, 75 V, 0.031 ohm, 10 V, 2.3 V

The is a 75VDS TrenchFET® N-channel enhancement-mode Power MOSFET suitable for primary side switch applications.

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Low thermal resistance PowerPAK® package with small size and low 1.07mm profile
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-55 to 150°C Operating temperature range

e络盟:
VISHAY  SI7812DN-T1-E3  晶体管, MOSFET, N沟道, 16 A, 75 V, 0.031 ohm, 10 V, 2.3 V


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 75V 7.2A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R


安富利:
Trans MOSFET N-CH 75V 7.2A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R


富昌:
单 N沟道 75 V 37 mOhms 表面贴装 功率Mosfet - PowerPAK 1212-8


Newark:
# VISHAY  SI7812DN-T1-E3  MOSFET Transistor, N Channel, 16 A, 75 V, 0.031 ohm, 20 V, 2.3 V


儒卓力:
**N-CH 75V 16A 37mOhm PPAK1212 **


SI7812DN-T1-E3中文资料参数规格
技术参数

针脚数 8

漏源极电阻 0.031 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 3.8 W

阈值电压 2.3 V

漏源极电压Vds 75 V

连续漏极电流Ids 16.0 A

输入电容Ciss 840pF @35VVds

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 3800 mW

封装参数

引脚数 8

封装 1212

外形尺寸

高度 1.04 mm

封装 1212

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Power Management, Industrial

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

数据手册

在线购买SI7812DN-T1-E3
型号: SI7812DN-T1-E3
描述:VISHAY  SI7812DN-T1-E3  晶体管, MOSFET, N沟道, 16 A, 75 V, 0.031 ohm, 10 V, 2.3 V
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