




VISHAY SI7812DN-T1-E3 晶体管, MOSFET, N沟道, 16 A, 75 V, 0.031 ohm, 10 V, 2.3 V
The is a 75VDS TrenchFET® N-channel enhancement-mode Power MOSFET suitable for primary side switch applications.
e络盟:
VISHAY SI7812DN-T1-E3 晶体管, MOSFET, N沟道, 16 A, 75 V, 0.031 ohm, 10 V, 2.3 V
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 75V 7.2A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
安富利:
Trans MOSFET N-CH 75V 7.2A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
富昌:
单 N沟道 75 V 37 mOhms 表面贴装 功率Mosfet - PowerPAK 1212-8
Newark:
# VISHAY SI7812DN-T1-E3 MOSFET Transistor, N Channel, 16 A, 75 V, 0.031 ohm, 20 V, 2.3 V
儒卓力:
**N-CH 75V 16A 37mOhm PPAK1212 **
针脚数 8
漏源极电阻 0.031 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 3.8 W
阈值电压 2.3 V
漏源极电压Vds 75 V
连续漏极电流Ids 16.0 A
输入电容Ciss 840pF @35VVds
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 3800 mW
引脚数 8
封装 1212
高度 1.04 mm
封装 1212
工作温度 -55℃ ~ 150℃
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Power Management, Industrial
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
SI7812DN-T1-E3 Vishay Semiconductor 威世 | 当前型号 | 当前型号 |
SI7812DN-T1-GE3 威世 | 类似代替 | SI7812DN-T1-E3和SI7812DN-T1-GE3的区别 |
FDMC8622 飞兆/仙童 | 功能相似 | SI7812DN-T1-E3和FDMC8622的区别 |