SI7634BDP-T1-GE3

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SI7634BDP-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数

针脚数 8

漏源极电阻 0.0058 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 48 W

阈值电压 1.4 V

漏源极电压Vds 30 V

输入电容Ciss 3150pF @15VVds

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 5000 mW

封装参数

引脚数 8

封装 PowerPAK SO

外形尺寸

高度 1.04 mm

封装 PowerPAK SO

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

数据手册

在线购买SI7634BDP-T1-GE3
型号: SI7634BDP-T1-GE3
描述:VISHAY  SI7634BDP-T1-GE3  晶体管, MOSFET, N沟道, 40 A, 30 V, 0.0058 ohm, 10 V, 1.4 V

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