SIRA00DP-T1-GE3概述
VISHAY SIRA00DP-T1-GE3 晶体管, MOSFET, N沟道, 60 A, 30 V, 830 µohm, 10 V, 1.1 V
The is a 30VDS TrenchFET® N-channel enhancement-mode Power MOSFET suitable for synchronous rectification, O-ring, high power density DC-to-DC, VRMs and embedded DC-to-DC applications.
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- 100% Rg tested
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- 100% UIS tested
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- Halogen-free
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- -55 to 150°C Operating temperature range
SIRA00DP-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数
针脚数 8
漏源极电阻 0.0014 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 104 W
阈值电压 1.1 V
输入电容 11700pF @15V
漏源极电压Vds 30 V
漏源击穿电压 30 V
热阻 1.2℃/W RθJC
输入电容Ciss 11700pF @15VVds
下降时间 22 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 104 W
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 PowerPAKSO-8
外形尺寸
长度 6.25 mm
宽度 5.26 mm
高度 1.12 mm
封装 PowerPAKSO-8
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Power Management, Industrial
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
在线购买SIRA00DP-T1-GE3
型号： SIRA00DP-T1-GE3
描述：VISHAY SIRA00DP-T1-GE3 晶体管, MOSFET, N沟道, 60 A, 30 V, 830 µohm, 10 V, 1.1 V