SIHD3N50D-GE3中文资料参数规格
技术参数
针脚数 3
漏源极电阻 2.6 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 104 W
阈值电压 3 V
漏源极电压Vds 500 V
上升时间 9 ns
输入电容Ciss 175pF @10VVds
下降时间 13 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 104 W
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
外形尺寸
长度 6.73 mm
宽度 6.22 mm
高度 2.38 mm
封装 TO-252-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
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型号： SIHD3N50D-GE3
描述：N 通道 MOSFET，D 系列高电压，Vishay Semiconductor ### MOSFET 晶体管，Vishay Semiconductor