SI7469DP-T1-GE3参数规格_中文资料_数据手册PDF

SI7469DP-T1-GE3中文资料参数规格

技术参数

针脚数 8

漏源极电阻 0.029 Ω

极性 P-Channel

耗散功率 5.2 W

漏源极电压Vds -80.0 V

连续漏极电流Ids -28.0 A

工作温度Max 150 ℃

封装参数

引脚数 8

封装 PowerPAKSO-8

外形尺寸

长度 6.15 mm

宽度 5.15 mm

高度 1.04 mm

封装 PowerPAKSO-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买SI7469DP-T1-GE3

型号： SI7469DP-T1-GE3

描述：VISHAY SI7469DP-T1-GE3. 场效应管, MOSFET, P沟道, -80V, 28A, SOIC

替代型号SI7469DP-T1-GE3

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
SI7469DP-T1-GE3 Vishay Semiconductor 威世	当前型号	当前型号
SI7469DP-T1-E3 威世	类似代替	SI7469DP-T1-GE3和SI7469DP-T1-E3的区别

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