SI7812DN-T1-GE3

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SI7812DN-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数

针脚数 8

漏源极电阻 0.046 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 3.8 W

阈值电压 2.3 V

漏源极电压Vds 75 V

连续漏极电流Ids 16.0 A

工作温度Max 150 ℃

封装参数

引脚数 8

封装 1212

外形尺寸

封装 1212

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

数据手册

在线购买SI7812DN-T1-GE3
型号: SI7812DN-T1-GE3
描述:VISHAY  SI7812DN-T1-GE3  场效应管, MOSFET, N沟道, 75V, 16A POWERPAK
替代型号SI7812DN-T1-GE3
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