VISHAY SUD50P06-15-GE3 晶体管, MOSFET, P沟道, -50 A, -60 V, 0.012 ohm, -10 V, -3 V
The is a 60V P-channel TrenchFET® Power MOSFET with power dissipation at 2.5W. This power MOSFET is designed for load switch.
- .
- ±20V Gate-source voltage
艾睿:
Trans MOSFET P-CH 60V 50A 3-Pin2+Tab DPAK
安富利:
Trans MOSFET P-CH 60V 50A 3-Pin2+Tab DPAK
富昌:
单 P 沟道 60 V 0.015 Ohm 表面贴装 功率 MosFet - TO-252-3
Verical:
Trans MOSFET P-CH 60V 50A 3-Pin2+Tab DPAK
Newark:
# VISHAY SUD50P06-15-GE3 MOSFET Transistor, P Channel, -50 A, -60 V, 0.012 ohm, -10 V, -3 V
力源芯城:
-60V,-50A,15mΩ,P沟道MOSFET
针脚数 3
漏源极电阻 0.012 Ω
极性 P-Channel
耗散功率 2.5 W
漏源极电压Vds 60 V
连续漏极电流Ids -50.0 A
工作温度Max 150 ℃
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
长度 6.73 mm
宽度 6.22 mm
高度 2.38 mm
封装 TO-252-3
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 工业, Industrial
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
SUD50P06-15-GE3 VISHAY 威世 | 当前型号 | 当前型号 |
SUD50P06-15L-E3 威世 | 类似代替 | SUD50P06-15-GE3和SUD50P06-15L-E3的区别 |
NVD5117PLT4G 安森美 | 功能相似 | SUD50P06-15-GE3和NVD5117PLT4G的区别 |