VISHAY SI4423DY-T1-E3 晶体管, MOSFET, P沟道, -14 A, -20 V, 0.006 ohm, -4.5 V, -400 mV
The is a 20VDS TrenchFET® P-channel enhancement-mode Power MOSFET suitable for load switch applications.
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- -55 to 150°C Operating temperature range
艾睿:
Trans MOSFET P-CH 20V 10A 8-Pin SOIC N T/R
富昌:
单 P 沟道 20 V 7.5 mOhms 表面贴装 功率 Mosfet - SOIC-8
Verical:
Trans MOSFET P-CH 20V 10A 8-Pin SOIC N T/R
Newark:
# VISHAY SI4423DY-T1-E3 MOSFET Transistor, P Channel, -14 A, -20 V, 0.006 ohm, -4.5 V, -400 mV
针脚数 8
漏源极电阻 0.006 Ω
极性 P-Channel
耗散功率 1.5 W
漏源极电压Vds -20.0 V
栅源击穿电压 ±8.00 V
连续漏极电流Ids -14.0 A
上升时间 165 ns
下降时间 210 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1500 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
长度 5 mm
高度 1.55 mm
封装 SOIC-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Industrial, Power Management
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
SI4423DY-T1-E3 Vishay Semiconductor 威世 | 当前型号 | 当前型号 |
SI4477DY-T1-GE3 威世 | 类似代替 | SI4423DY-T1-E3和SI4477DY-T1-GE3的区别 |