




VISHAY SI7858ADP-T1-E3 MOSFET Transistor, N Channel, 29A, 12V, 2.6mohm, 4.5V, 600mV
* Halogen-free available * TrenchFET® Power MOSFET * New Low Thermal Resistance PowerPAK® Package with Low 1.07 mm Profile * 100 % Rg Tested
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 12V 20A 8-Pin PowerPAK SO T/R
Allied Electronics:
N-CHANNEL 12-V D-S MOSFET
安富利:
Trans MOSFET N-CH 12V 20A 8-Pin PowerPAK SO T/R
富昌:
单 N 沟道 12 V 0.0026 Ohms 表面贴装 功率 Mosfet - PowerPAK-SO-8
Verical:
Trans MOSFET N-CH 12V 20A 8-Pin PowerPAK SO T/R
Newark:
# VISHAY SI7858ADP-T1-E3 MOSFET Transistor, N Channel, 29 A, 12 V, 0.0026 ohm, 4.5 V, 600 mV
漏源极电阻 0.0026 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 5.4 W
阈值电压 600 mV
输入电容 5700pF @6V
漏源极电压Vds 12 V
连续漏极电流Ids 29.0 A
上升时间 40 ns
下降时间 70 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
长度 5.99 mm
高度 1.07 mm
封装 SOIC-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free