SI7164DP-T1-GE3参数规格_中文资料_数据手册PDF

SI7164DP-T1-GE3概述

VISHAY SI7164DP-T1-GE3 晶体管, MOSFET, N沟道, 60 A, 60 V, 0.005 ohm, 10 V, 2.5 V

The is a 60VDS TrenchFET® N-channel enhancement-mode Power MOSFET suitable for primary side switch, POL and intermediate bus converter applications.

SI7164DP-T1-GE3中文资料参数规格

技术参数

针脚数 8

漏源极电阻 0.005 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 104 W

阈值电压 2.5 V

漏源极电压Vds 60 V

连续漏极电流Ids 60.0 A

上升时间 11 ns

输入电容Ciss 2830pF @30VVds

下降时间 11 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 104 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 PowerPAK SO

外形尺寸

长度 6.25 mm

宽度 5.26 mm

高度 1.12 mm

封装 PowerPAK SO

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

数据手册

在线购买SI7164DP-T1-GE3

型号： SI7164DP-T1-GE3

描述：VISHAY SI7164DP-T1-GE3 晶体管, MOSFET, N沟道, 60 A, 60 V, 0.005 ohm, 10 V, 2.5 V

替代型号SI7164DP-T1-GE3

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
SI7164DP-T1-GE3 Vishay Semiconductor 威世	当前型号	当前型号
SI7460DP-T1-GE3 威世	类似代替	SI7164DP-T1-GE3和SI7460DP-T1-GE3的区别
IRFH5206TRPBF 英飞凌	功能相似	SI7164DP-T1-GE3和IRFH5206TRPBF的区别
PSMN5R5-60YS 恩智浦	功能相似	SI7164DP-T1-GE3和PSMN5R5-60YS的区别