SI7858ADP-T1-GE3

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SI7858ADP-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数

漏源极电阻 0.0026 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 1.9 W

阈值电压 950 mV

漏源极电压Vds 12 V

连续漏极电流Ids 20.0 A

工作温度Max 150 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

封装 SOIC-8

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SI7858ADP-T1-GE3
型号: SI7858ADP-T1-GE3
描述:VISHAY SI7858ADP-T1-GE3 MOSFET Transistor, N Channel, 20A, 12V, 2.6mohm, 4.5V, 950mV

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