SI7478DP-T1-GE3参数规格_中文资料_数据手册PDF_引脚图-锐单商城

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SI7478DP-T1-GE3中文资料参数规格

技术参数

漏源极电阻 0.006 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 1.9 W

阈值电压 3 V

漏源极电压Vds 60 V

连续漏极电流Ids 20.0 A

上升时间 20 ns

下降时间 45 ns

工作温度Max 150 ℃

封装参数

引脚数 8

封装 PowerPAKSO-8

外形尺寸

长度 6.15 mm

宽度 5.15 mm

高度 1.04 mm

封装 PowerPAKSO-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SI7478DP-T1-GE3

型号： SI7478DP-T1-GE3

制造商： Vishay Semiconductor 威世

描述：MOSFET 60V 20A 5.4W 7.5mohm @ 10V

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