VISHAY SUD40N08-16-E3 晶体管, MOSFET, N沟道, 40 A, 80 V, 0.013 ohm, 10 V, 2 V
The is a 80VDS TrenchFET® N-channel enhancement-mode Power MOSFET with antiparallel diode.
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- 100% Rg tested
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- 175°C Maximum junction temperature
e络盟:
VISHAY SUD40N08-16-E3 MOSFET, N CHANNEL, 80V, 40A, TO-252-3
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 80V 40A 3-Pin2+Tab DPAK
富昌:
单 N 沟道 80 V 0.016 Ohms 表面贴装 功率 Mosfet - TO-252
Newark:
# VISHAY SUD40N08-16-E3 MOSFET Transistor, N Channel, 40 A, 80 V, 0.013 ohm, 10 V, 4 V
儒卓力:
**N-CH 80V 40A 160mOhm TO252-3 **
针脚数 3
漏源极电阻 0.013 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 136 W
阈值电压 4 V
漏源极电压Vds 80 V
漏源击穿电压 80.0 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 40.0 A
上升时间 52 ns
下降时间 10 ns
工作温度Max 175 ℃
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
长度 6.73 mm
宽度 6.22 mm
高度 2.38 mm
封装 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Power Management, Industrial
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
ECCN代码 EAR99