SI7478DP-T1-E3概述
VISHAY SI7478DP-T1-E3 场效应管, N通道, MOSFET, 60V, 20A, POWERPAK SO
The is a 60VDS TrenchFET® N-channel enhancement-mode Power MOSFET with antiparallel diode.
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- New low thermal resistance PowerPAK® package with small size and low 1.07mm profile
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- 100% Rg tested
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- -55 to 150°C Operating temperature range
SI7478DP-T1-E3中文资料参数规格
技术参数
针脚数 8
漏源极电阻 0.006 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 1.9 W
阈值电压 3 V
漏源极电压Vds 60 V
连续漏极电流Ids 20.0 A
上升时间 20 ns
下降时间 45 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1900 mW
封装参数
引脚数 8
封装 PowerPAK SO
外形尺寸
高度 1.04 mm
封装 PowerPAK SO
其他
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Industrial, Power Management
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
在线购买SI7478DP-T1-E3
型号： SI7478DP-T1-E3
描述：VISHAY SI7478DP-T1-E3 场效应管, N通道, MOSFET, 60V, 20A, POWERPAK SO
替代型号SI7478DP-T1-E3
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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SI7478DP-T1-E3 Vishay Semiconductor 威世 | 当前型号 | 当前型号 |