






VISHAY SI7463DP-T1-E3 晶体管, MOSFET, P沟道, 18.6 A, -40 V, 0.0075 ohm, 20 V, -3 V
The is a 40VDS TrenchFET® P-channel enhancement-mode Power MOSFET with antiparallel diode.
e络盟:
VISHAY SI7463DP-T1-E3 场效应管, MOSFET, P沟道, -40V, 18.6A, SOIC-8
艾睿:
Trans MOSFET P-CH 40V 11A 8-Pin PowerPAK SO T/R
安富利:
Trans MOSFET P-CH 40V 11A 8-Pin PowerPAK SO T/R
富昌:
单 P 沟道 40 V 0.0092 Ohms 表面贴装 功率 Mosfet - PowerPAK-SO-8
Verical:
Trans MOSFET P-CH 40V 11A 8-Pin PowerPAK SO T/R
Newark:
# VISHAY SI7463DP-T1-E3 MOSFET Transistor, P Channel, -18.6 A, -40 V, 0.0075 ohm, 20 V, -3 V
力源芯城:
-40V,-18.6A,P沟道功率MOSFET
针脚数 8
漏源极电阻 0.0075 Ω
极性 P-Channel
耗散功率 1.9 W
漏源极电压Vds -40.0 V
连续漏极电流Ids -18.6 A
上升时间 25 ns
下降时间 100 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1900 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 PowerPAK SO
高度 1.04 mm
封装 PowerPAK SO
工作温度 -55℃ ~ 150℃
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Industrial, Power Management
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
SI7463DP-T1-E3 Vishay Semiconductor 威世 | 当前型号 | 当前型号 |
SI7463DP-T1-GE3 威世 | 完全替代 | SI7463DP-T1-E3和SI7463DP-T1-GE3的区别 |