SI7463DP-T1-E3

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SI7463DP-T1-E3概述

VISHAY  SI7463DP-T1-E3  晶体管, MOSFET, P沟道, 18.6 A, -40 V, 0.0075 ohm, 20 V, -3 V

The is a 40VDS TrenchFET® P-channel enhancement-mode Power MOSFET with antiparallel diode.

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Low thermal resistance PowerPAK® package with small size and low 1.07mm profile
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-55 to 150°C Operating temperature range

e络盟:
VISHAY  SI7463DP-T1-E3  场效应管, MOSFET, P沟道, -40V, 18.6A, SOIC-8


艾睿:
Trans MOSFET P-CH 40V 11A 8-Pin PowerPAK SO T/R


安富利:
Trans MOSFET P-CH 40V 11A 8-Pin PowerPAK SO T/R


富昌:
单 P 沟道 40 V 0.0092 Ohms 表面贴装 功率 Mosfet - PowerPAK-SO-8


Verical:
Trans MOSFET P-CH 40V 11A 8-Pin PowerPAK SO T/R


Newark:
# VISHAY  SI7463DP-T1-E3  MOSFET Transistor, P Channel, -18.6 A, -40 V, 0.0075 ohm, 20 V, -3 V


力源芯城:
-40V,-18.6A,P沟道功率MOSFET


SI7463DP-T1-E3中文资料参数规格
技术参数

针脚数 8

漏源极电阻 0.0075 Ω

极性 P-Channel

耗散功率 1.9 W

漏源极电压Vds -40.0 V

连续漏极电流Ids -18.6 A

上升时间 25 ns

下降时间 100 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 1900 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 PowerPAK SO

外形尺寸

高度 1.04 mm

封装 PowerPAK SO

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Industrial, Power Management

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

数据手册

在线购买SI7463DP-T1-E3
型号: SI7463DP-T1-E3
描述:VISHAY  SI7463DP-T1-E3  晶体管, MOSFET, P沟道, 18.6 A, -40 V, 0.0075 ohm, 20 V, -3 V
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SI7463DP-T1-E3和SI7463DP-T1-GE3的区别

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