S34MS01G200BHI903

S34MS01G200BHI903图片1
S34MS01G200BHI903概述

Flash Memory 1GB, 1.8V, 45ns NAND Flash

闪存 - NAND 存储器 IC 1Gb(128M x 8) 并联 63-BGA(11x9)


得捷:
IC FLASH 1GBIT PARALLEL 63BGA


贸泽:
Flash Memory 1Gb, 1.8V, 45ns NAND Flash


艾睿:
IC FLASH 1GBIT


Chip1Stop:
IC FLASH 1GBIT


S34MS01G200BHI903中文资料参数规格
技术参数

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min 40 ℃

电源电压Max 1.95 V

电源电压Min 1.7 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 VFBGA-63

外形尺寸

封装 VFBGA-63

物理参数

工作温度 40℃ ~ 85℃

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买S34MS01G200BHI903
型号: S34MS01G200BHI903
制造商: Cypress Semiconductor 赛普拉斯
描述:Flash Memory 1GB, 1.8V, 45ns NAND Flash

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