SI7430DP-T1-E3参数规格_中文资料_数据手册PDF_引脚图-锐单商城

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SI7430DP-T1-E3中文资料参数规格

技术参数

针脚数 8

漏源极电阻 0.045 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 5.2 W

阈值电压 2.5 V

漏源极电压Vds 150 V

连续漏极电流Ids 26.0 A

上升时间 12 ns

输入电容Ciss 1735pF @50VVds

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 5200 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC

外形尺寸

高度 1.04 mm

封装 SOIC

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SI7430DP-T1-E3

型号： SI7430DP-T1-E3

制造商： Vishay Semiconductor 威世

描述：VISHAY SI7430DP-T1-E3 晶体管, N沟道

替代型号SI7430DP-T1-E3

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
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