SI7434DP-T1-GE3概述
VISHAY SI7434DP-T1-GE3 场效应管, MOSFET, N沟道, 250V, 3.8A, SOIC
The is a 250VDS TrenchFET® N-channel enhancement-mode Power MOSFET suitable for telecom power supply, distributed power architecture and miniature power module applications.
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- 100% Rg tested
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- Avalanche tested
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- Halogen-free
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- -55 to 150°C Operating temperature range
SI7434DP-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数
针脚数 8
漏源极电阻 0.129 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 1.9 W
阈值电压 4 V
漏源极电压Vds 250 V
连续漏极电流Ids 3.80 A
上升时间 23 ns
下降时间 19 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1900 mW
封装参数
引脚数 8
封装 PowerPAKSO-8
外形尺寸
长度 6.15 mm
宽度 5.15 mm
高度 1.04 mm
封装 PowerPAKSO-8
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Power Management, Industrial
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
在线购买SI7434DP-T1-GE3
型号： SI7434DP-T1-GE3
描述：VISHAY SI7434DP-T1-GE3 场效应管, MOSFET, N沟道, 250V, 3.8A, SOIC