SI7434DP-T1-E3

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SI7434DP-T1-E3中文资料参数规格
技术参数

极性 N-Channel

耗散功率 1900 mW

漏源极电压Vds 250 V

连续漏极电流Ids 3.80 A

上升时间 23 ns

下降时间 19 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 1900 mW

封装参数

引脚数 8

外形尺寸

高度 1.04 mm

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SI7434DP-T1-E3
型号: SI7434DP-T1-E3
描述:N沟道250 -V (D -S )的MOSFET N-CHANNEL 250-V D-S MOSFET

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