SIHU5N50D-E3

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SIHU5N50D-E3中文资料参数规格
技术参数

极性 N-Channel

上升时间 11 ns

下降时间 11 ns

封装参数

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

数据手册

在线购买SIHU5N50D-E3
型号: SIHU5N50D-E3
描述:MOSFET N-CH 500V 5.3A TO251 IPAK

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