SI7489DP-T1-E3

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SI7489DP-T1-E3概述

VISHAY  SI7489DP-T1-E3  晶体管, MOSFET, P沟道, -28 A, -100 V, 0.033 ohm, -10 V, -3 V

The is a -100V P-channel TrenchFET® Power MOSFET.

.
Halogen-free according to IEC 61249-2-21 definition

e络盟:
VISHAY  SI7489DP-T1-E3  场效应管, P沟道, MOSFET, -100V, 28A, SOIC


艾睿:
Trans MOSFET P-CH 100V 7.8A 8-Pin PowerPAK SO T/R


安富利:
Trans MOSFET P-CH 100V 7.8A 8-Pin PowerPAK SO T/R


富昌:
单 P沟道 100 V 0.041 Ohms 表面贴装 功率Mosfet - PowerPAK SO-8


Verical:
Trans MOSFET P-CH 100V 7.8A 8-Pin PowerPAK SO T/R


Newark:
# VISHAY  SI7489DP-T1-E3  MOSFET Transistor, P Channel, -28 A, -100 V, 0.033 ohm, -10 V, -3 V


儒卓力:
**P-CH -100V -28A 41mOhm PPSO-8 **


SI7489DP-T1-E3中文资料参数规格
技术参数

针脚数 8

漏源极电阻 0.033 Ω

极性 P-Channel

耗散功率 83 W

漏源极电压Vds -100 V

连续漏极电流Ids -28.0 A

上升时间 20.0 ns

下降时间 100 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 PowerPAKSO-8

外形尺寸

长度 5.99 mm

高度 1.07 mm

封装 PowerPAKSO-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Power Management, 电源管理

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买SI7489DP-T1-E3
型号: SI7489DP-T1-E3
描述:VISHAY  SI7489DP-T1-E3  晶体管, MOSFET, P沟道, -28 A, -100 V, 0.033 ohm, -10 V, -3 V
替代型号SI7489DP-T1-E3
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