






VISHAY SI7489DP-T1-E3 晶体管, MOSFET, P沟道, -28 A, -100 V, 0.033 ohm, -10 V, -3 V
The is a -100V P-channel TrenchFET® Power MOSFET.
e络盟:
VISHAY SI7489DP-T1-E3 场效应管, P沟道, MOSFET, -100V, 28A, SOIC
艾睿:
Trans MOSFET P-CH 100V 7.8A 8-Pin PowerPAK SO T/R
安富利:
Trans MOSFET P-CH 100V 7.8A 8-Pin PowerPAK SO T/R
富昌:
单 P沟道 100 V 0.041 Ohms 表面贴装 功率Mosfet - PowerPAK SO-8
Verical:
Trans MOSFET P-CH 100V 7.8A 8-Pin PowerPAK SO T/R
Newark:
# VISHAY SI7489DP-T1-E3 MOSFET Transistor, P Channel, -28 A, -100 V, 0.033 ohm, -10 V, -3 V
儒卓力:
**P-CH -100V -28A 41mOhm PPSO-8 **
针脚数 8
漏源极电阻 0.033 Ω
极性 P-Channel
耗散功率 83 W
漏源极电压Vds -100 V
连续漏极电流Ids -28.0 A
上升时间 20.0 ns
下降时间 100 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 PowerPAKSO-8
长度 5.99 mm
高度 1.07 mm
封装 PowerPAKSO-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Power Management, 电源管理
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
SI7489DP-T1-E3 Vishay Semiconductor 威世 | 当前型号 | 当前型号 |
SI7489DP-T1-GE3 威世 | 功能相似 | SI7489DP-T1-E3和SI7489DP-T1-GE3的区别 |