VISHAY SUD19N20-90-E3 晶体管, MOSFET, N沟道, 19 A, 200 V, 90 mohm, 10 V, 4 V
The is a 200VDS TrenchFET® N-channel enhancement-mode Power MOSFET suitable for primary side switch applications.
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- 100% Rg tested
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- PWM optimized
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- 175°C Junction temperature
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 200V 19A 3-Pin2+Tab DPAK
安富利:
Trans MOSFET N-CH 200V 19A 3-Pin2+Tab DPAK
富昌:
单 N 沟道 200 V 0.09 Ohms 表面贴装 功率 Mosfet - TO-252
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 200V 19A 3-Pin2+Tab DPAK
Verical:
Trans MOSFET N-CH 200V 19A 3-Pin2+Tab DPAK
Newark:
# VISHAY SUD19N20-90-E3 MOSFET Transistor, N Channel, 19 A, 200 V, 90 mohm, 10 V, 4 V
针脚数 3
漏源极电阻 0.09 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 3 W
阈值电压 4 V
漏源极电压Vds 200 V
漏源击穿电压 200 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 19.0 A
上升时间 50 ns
输入电容Ciss 1800pF @25VVds
下降时间 60 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 3000 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252
高度 2.39 mm
封装 TO-252
工作温度 -55℃ ~ 175℃
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15