VISHAY SUD50N06-09L-E3 晶体管, MOSFET, N沟道, 50 A, 60 V, 0.0074 ohm, 10 V, 2 V
The is a 60VDS TrenchFET® N-channel enhancement-mode Power MOSFET with antiparallel diode.
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- -55 to 175°C Operating temperature range
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin2+Tab DPAK
富昌:
单 N沟道 60 V 0.0093 Ohms 表面贴装 功率Mosfet - TO-252
Verical:
Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin2+Tab DPAK
Newark:
# VISHAY SUD50N06-09L-E3 MOSFET Transistor, N Channel, 50 A, 60 V, 0.0074 ohm, 10 V, 2 V
针脚数 3
漏源极电阻 0.0074 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 136 W
阈值电压 2 V
漏源极电压Vds 60 V
连续漏极电流Ids 50.0 A
上升时间 15 ns
下降时间 20 ns
工作温度Max 175 ℃
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252
封装 TO-252
工作温度 -55℃ ~ 175℃
包装方式 Cut Tape CT
制造应用 Industrial, Power Management
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
SUD50N06-09L-E3 Vishay Semiconductor 威世 | 当前型号 | 当前型号 |
SUD50N06-07L-GE3 威世 | 类似代替 | SUD50N06-09L-E3和SUD50N06-07L-GE3的区别 |