SIR470DP-T1-GE3参数规格_中文资料_数据手册PDF

SIR470DP-T1-GE3概述

VISHAY SIR470DP-T1-GE3 晶体管, MOSFET, N沟道, 60 A, 40 V, 0.0019 ohm, 10 V, 2.5 V

The is a 40VDS TrenchFET® N-channel enhancement-mode Power MOSFET suitable for secondary side synchronous rectification and power supply applications.

.: 100% Rg tested

.: 100% UIS tested

.: Halogen-free

.: -55 to 150°C Operating temperature range

SIR470DP-T1-GE3中文资料参数规格

技术参数

针脚数 8

漏源极电阻 0.0019 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 104 W

阈值电压 1 V

漏源极电压Vds 40 V

连续漏极电流Ids 60.0 A

上升时间 31 ns

输入电容Ciss 5660pF @20VVds

下降时间 39 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 6250 mW

封装参数

引脚数 8

封装 PowerPAK SO

外形尺寸

高度 1.04 mm

封装 PowerPAK SO

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Power Management, Industrial

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

SIR470DP-T1-GE3引脚图与封装图

在线购买SIR470DP-T1-GE3

型号： SIR470DP-T1-GE3

制造商： Vishay Semiconductor 威世

描述：VISHAY SIR470DP-T1-GE3 晶体管, MOSFET, N沟道, 60 A, 40 V, 0.0019 ohm, 10 V, 2.5 V

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替代型号SIR470DP-T1-GE3

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