SI7113DN-T1-E3中文资料参数规格
技术参数
漏源极电阻 0.0145 Ω
极性 P-Channel
耗散功率 3.7 W
漏源极电压Vds -100 V
连续漏极电流Ids -13.2 A
上升时间 110 ns
输入电容Ciss 1480pF @50VVds
下降时间 40 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -50 ℃
耗散功率Max 3700 mW
封装参数
引脚数 8
封装 PowerPAK-1212-8
外形尺寸
长度 3.3 mm
宽度 3.3 mm
高度 1.04 mm
封装 PowerPAK-1212-8
物理参数
工作温度 -50℃ ~ 150℃
其他
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
在线购买SI7113DN-T1-E3
型号： SI7113DN-T1-E3
描述：P沟道100 -V （D -S ）的MOSFET P-Channel 100-V D-S MOSFET