漏源极电阻 0.0098 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 2.5 W
阈值电压 800 mV
漏源极电压Vds 30 V
漏源击穿电压 30.0 V
栅源击穿电压 ±25.0 V
连续漏极电流Ids -11.0 A to 11.0 A
上升时间 8.5 ns
下降时间 17 ns
工作温度Max 150 ℃
引脚数 8
封装 SOIC
工作温度 -55℃ ~ 150℃
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
数据手册
