SIR804DP-T1-GE3参数规格_中文资料_数据手册PDF

SIR804DP-T1-GE3概述

VISHAY SIR804DP-T1-GE3 晶体管, MOSFET, N沟道, 60 A, 100 V, 0.0059 ohm, 10 V, 1.2 V

The is a 100VDS TrenchFET® N-channel enhancement-mode Power MOSFET suitable for DC-to-DC converter, fixed telecom and primary side switch applications.

.: 100% Rg tested

.: 100% UIS tested

.: Halogen-free

.: -55 to 150°C Operating temperature range

SIR804DP-T1-GE3中文资料参数规格

技术参数

针脚数 8

漏源极电阻 0.0059 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 104 W

阈值电压 1.2 V

漏源极电压Vds 100 V

输入电容Ciss 2450pF @50VVds

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 6250 mW

封装参数

引脚数 8

封装 PowerPAK SO

外形尺寸

高度 1.04 mm

封装 PowerPAK SO

其他

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Power Management, Industrial, Communications & Networking

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SIR804DP-T1-GE3

型号： SIR804DP-T1-GE3

制造商： Vishay Semiconductor 威世

描述：VISHAY SIR804DP-T1-GE3 晶体管, MOSFET, N沟道, 60 A, 100 V, 0.0059 ohm, 10 V, 1.2 V

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