SI7658ADP-T1-GE3参数规格_中文资料_数据手册PDF

SI7658ADP-T1-GE3概述

VISHAY SI7658ADP-T1-GE3 晶体管, MOSFET, N沟道, 60 A, 30 V, 0.0018 ohm, 10 V, 2.5 V

The is a 30VDS TrenchFET® N-channel enhancement-mode Power MOSFET suitable for low-side switch for DC-to-DC converter and O-ring applications.

SI7658ADP-T1-GE3中文资料参数规格

技术参数

针脚数 8

漏源极电阻 0.0018 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 5.4 W

阈值电压 2.5 V

漏源极电压Vds 30 V

连续漏极电流Ids 60.0 A

上升时间 18 ns

下降时间 30 ns

工作温度Max 150 ℃

封装参数

引脚数 8

封装 PowerPAK SO

外形尺寸

封装 PowerPAK SO

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Industrial, Power Management

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买SI7658ADP-T1-GE3

型号： SI7658ADP-T1-GE3

描述：VISHAY SI7658ADP-T1-GE3 晶体管, MOSFET, N沟道, 60 A, 30 V, 0.0018 ohm, 10 V, 2.5 V

替代型号SI7658ADP-T1-GE3

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
SI7658ADP-T1-GE3 Vishay Semiconductor 威世	当前型号	当前型号
IRFH5301TRPBF 英飞凌	功能相似	SI7658ADP-T1-GE3和IRFH5301TRPBF的区别
NTMFS4935NT1G 安森美	功能相似	SI7658ADP-T1-GE3和NTMFS4935NT1G的区别
SIE800DF-T1-E3 威世	功能相似	SI7658ADP-T1-GE3和SIE800DF-T1-E3的区别