SI7884BDP-T1-E3

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SI7884BDP-T1-E3中文资料参数规格
技术参数

漏源极电阻 0.0062 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 46 W

阈值电压 1 V

漏源极电压Vds 40 V

上升时间 14 ns

输入电容Ciss 3540pF @20VVds

下降时间 11 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 4600 mW

封装参数

引脚数 8

外形尺寸

高度 1.04 mm

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SI7884BDP-T1-E3
型号: SI7884BDP-T1-E3
描述:MOSFET N-CH 40V 58A PPAK SO-8

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