N 通道 MOSFET，60V 至 90V，Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管，Vishay Semiconductor
The is a 60VDS TrenchFET® N-channel enhancement-mode Power MOSFET with antiparallel diode.
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- 100% Rg tested
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- -55 to 175°C Operating temperature range
欧时:
### N 通道 MOSFET，60V 至 90V，Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管，Vishay Semiconductor
e络盟:
VISHAY SUM110N06-3M4L-E3 晶体管, MOSFET, N沟道, 110 A, 60 V, 0.0028 ohm, 10 V, 1 V
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 60V 110A 3-Pin2+Tab D2PAK
针脚数 3
漏源极电阻 0.0028 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 375 W
阈值电压 1 V
漏源极电压Vds 60 V
连续漏极电流Ids 110 A
输入电容Ciss 12900pF @25VVds
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 3.7 W
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-263
长度 10.41 mm
宽度 9.65 mm
高度 4.83 mm
封装 TO-263
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
SUM110N06-3M4L-E3 Vishay Semiconductor 威世 | 当前型号 | 当前型号 |
IRFS3006PBF 英飞凌 | 功能相似 | SUM110N06-3M4L-E3和IRFS3006PBF的区别 |
BUK964R2-60E 恩智浦 | 功能相似 | SUM110N06-3M4L-E3和BUK964R2-60E的区别 |