SI7439DP-T1-GE3

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SI7439DP-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数

漏源极电阻 0.073 Ω

极性 P-Channel

耗散功率 1.9 W

漏源极电压Vds -150 V

连续漏极电流Ids -5.20 A

上升时间 46 ns

下降时间 64 ns

工作温度Max 150 ℃

封装参数

引脚数 8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SI7439DP-T1-GE3
型号: SI7439DP-T1-GE3
描述:VISHAY SI7439DP-T1-GE3 MOSFET Transistor, P Channel, -5.2A, -150V, 0.073Ω, -6V, -4V

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