SUM65N20-30-E3参数规格_中文资料_数据手册PDF

SUM65N20-30-E3中文资料参数规格

技术参数

漏源极电阻 0.03 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 3.75 W

阈值电压 4 V

漏源极电压Vds 200 V

连续漏极电流Ids 65.0 A

上升时间 220 ns

输入电容Ciss 5100pF @25VVds

下降时间 200 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 375 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-263

外形尺寸

长度 10.41 mm

宽度 9.652 mm

高度 4.826 mm

封装 TO-263

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

数据手册

在线购买SUM65N20-30-E3

型号： SUM65N20-30-E3

描述：N 通道 MOSFET，200V 至 250V，Vishay Semiconductor ### MOSFET 晶体管，Vishay Semiconductor

替代型号SUM65N20-30-E3

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
SUM65N20-30-E3 Vishay Semiconductor 威世	当前型号	当前型号
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