SIHU6N65E-GE3

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SIHU6N65E-GE3中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

漏源极电阻 0.6 Ω

耗散功率 78 W

阈值电压 4 V

漏源击穿电压 650 V

上升时间 12 ns

下降时间 20 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-251-3

外形尺寸

长度 6.73 mm

宽度 2.39 mm

高度 6.22 mm

封装 TO-251-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SIHU6N65E-GE3
型号: SIHU6N65E-GE3
描述:E Series N Channel 700V 0.6Ω 48NC Through Hole Power Mosfet - TO-251

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