SQD50N06-09L_GE3

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SQD50N06-09L_GE3中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

漏源极电阻 0.0071 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 136 W

阈值电压 1.5 V

漏源击穿电压 60 V

上升时间 11 ns

下降时间 8 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min 55 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

长度 6.73 mm

宽度 6.22 mm

高度 2.38 mm

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

数据手册

在线购买SQD50N06-09L_GE3
型号: SQD50N06-09L_GE3
描述:Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3Pin2+Tab DPAK

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