SIE818DF-T1-GE3

SIE818DF-T1-GE3图片1
SIE818DF-T1-GE3图片2
SIE818DF-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数

漏源极电阻 0.0078 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 125 W

阈值电压 2.1 V

漏源极电压Vds 75 V

工作温度Max 150 ℃

封装参数

引脚数 10

封装 PolarPAK-10

外形尺寸

宽度 5.16 mm

封装 PolarPAK-10

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

数据手册

在线购买SIE818DF-T1-GE3
型号: SIE818DF-T1-GE3
描述:N通道75 -V (D -S )的MOSFET N-Channel 75-V D-S MOSFET

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台