VISHAY SIHG20N50C-E3 晶体管, MOSFET, N沟道, 20 A, 500 V, 225 mohm, 10 V, 5 V
The is a 500V N-channel Power MOSFET with high power dissipation and high peak current capability.
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- Halogen-free according to IEC 61249-2-21 definition
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- Low figure of merit Ron X Qg
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- 100% Avalanche rated
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- dV/dt Ruggedness
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- Improved Trr/Qrr
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- Improved gate charge
针脚数 3
漏源极电阻 0.225 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 292 W
阈值电压 5 V
漏源极电压Vds 500 V
连续漏极电流Ids 20.0 A
上升时间 27 ns
输入电容Ciss 2451pF @25VVds
下降时间 44 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 250 W
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-247-3
长度 15.87 mm
宽度 5.31 mm
高度 20.82 mm
封装 TO-247-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃
包装方式 Tube
制造应用 电源管理, Power Management
RoHS标准 RoHS Compliant
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
SIHG20N50C-E3 Vishay Semiconductor 威世 | 当前型号 | 当前型号 |
IRFP460PBF 威世 | 功能相似 | SIHG20N50C-E3和IRFP460PBF的区别 |