SIHB20N50E-GE3

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SIHB20N50E-GE3中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

针脚数 3

漏源极电阻 0.16 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 179 W

阈值电压 4 V

漏源极电压Vds 500 V

漏源击穿电压 550 V

上升时间 27 ns

下降时间 25 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-263-3

外形尺寸

长度 10.67 mm

宽度 9.65 mm

高度 4.83 mm

封装 TO-263-3

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

数据手册

在线购买SIHB20N50E-GE3
型号: SIHB20N50E-GE3
描述:VISHAY  SIHB20N50E-GE3  晶体管, MOSFET, N沟道, 19 A, 500 V, 0.16 ohm, 10 V, 4 V

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