SIHP18N50C-E3概述
VISHAY SIHP18N50C-E3. 晶体管, N沟道
The is a 500VDS N-channel enhancement-mode Power MOSFET with antiparallel diode.
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- Low figure-of-merit FOM Ron x Qg
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- 100% Avalanche tested
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- High peak current capability
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- dV/dt Ruggedness
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- Improved trr/Qrr
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- Improved gate charge
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- High power dissipations capability
SIHP18N50C-E3中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
针脚数 3
漏源极电阻 0.225 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 223 W
阈值电压 5 V
漏源极电压Vds 560 V
漏源击穿电压 500 V
连续漏极电流Ids 18.0 A
上升时间 27 ns
输入电容Ciss 2830pF @25VVds
下降时间 44 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 220 W
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
外形尺寸
长度 10.51 mm
宽度 4.65 mm
高度 15.49 mm
封装 TO-220-3
其他
包装方式 Tube
制造应用 Power Management, Industrial
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
在线购买SIHP18N50C-E3