SIHG14N50D-E3

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SIHG14N50D-E3中文资料参数规格
技术参数

漏源极电阻 0.32 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 208 W

阈值电压 3 V

漏源极电压Vds 500 V

工作温度Max 150 ℃

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-247-3

外形尺寸

封装 TO-247-3

其他

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

数据手册

在线购买SIHG14N50D-E3
型号: SIHG14N50D-E3
描述:Trans MOSFET N-CH 500V 14A 3Pin3+Tab TO-247AC

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